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Si7447ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
0.05
0.04
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
10
0.02
T J = 150 °C
0.01
T J = 25 °C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
0.8
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
120
80
0.0
- 0.2
- 0.4
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by
R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73358
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
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